Samsung Electronics wprowadza do produkcji najmniejsze w branży 2-gigabitowe kości pamięci DRAM DDR3. Budowane z nich moduły RIMM mogą osiągać pojemności aż 16GB. Na dodatek nowe chipy pozwalają zaoszczędzić ponad 40% mocy w porównaniu do dotychczasowych pamięci DDR3 o pojemności 1Gb.
Małe wymiary struktur nowych pamięci, osiągnięte dzięki technologii DRAM o wymiarze charakterystycznym 50 nm, pozwalają budować moduły RIMM 8 GB oraz moduły SODIMM i UDIMM 4 GB bez stosowania drogiego, wielowarstwowego montażu podzespołów. Dodatkowo, używając obudów zawierających dwie 2 Gb struktury DRAM DDR3 można budować moduły RIMM o pojemności aż 16 GB.
Jeden 2-gigabitowy chip zastępuje rozwiązanie oparte na dwóch dotychczasowych strukturach 1 Gb i redukuje pobór mocy o co najmniej 40%, co jest szczególnie istotne w zaawansowanych aplikacjach serwerowych, a w przyszłości będzie zaletą w następnych generacjach komputerów desktop i notebooków. Nowa pamięć 2 Gb zapewnia szybkość przepływu danych do 1,3Gb/s przy zasilaniu 1,5 lub 1,35V, podczas gdy dotychczasowe dwuchipowe rozwiązania oparte na strukturach 1 Gb osiągały co najwyżej 800 Mb/s. Oznacza to wzrost prędkości o 60%. Dodatkowo mniejsza liczba chipów w module obniża emisję ciepła.
Nowy proces technologiczny użyty do produkcji nowych 2-gigabitowych kości ma się stać podstawową technologią DRAM firmy Samsung w przyszłym roku. Według analityków firmy IDC, pamięci DDR3 mają stanowić 29% wszystkich DRAM-ów sprzedanych w przyszłym roku i 72% w roku 2011. Natomiast udział rynkowy pamięci o pojemności 2Gb powinien wzrosnąć od 3% w 2009 do 33% w 2011 roku.

Dodatkowe informacje są dostępne pod adresem: http://www.samsungsemi.com

Dystrybutor: Soyter Sp. z o.o., handlowy@soyter.pl, www.soyter.pl, tel.: +22 7528255, fax: +22 7220550.